[[abstract]]本研究是在網版印刷碳電極 (screen-printed carbon electrode, SPCE)上以電化學氧化方式製備過氧化電極 (SPCE*),針對磺胺 (Sulfanilamide, SAA)進行微量的定量分析。由於台灣食品管理局規定食品中磺胺最低檢出濃度標準不得超過0.1 ppm,如今符合此規定的分析技術包含HPLC、MS、LC等貴重儀器。而這些儀器設備昂貴,因此我們開發出可降低成本、方便檢測的電化學偵測技術,以此修飾電極進行磺胺的定量分析。 本研究利用循環伏安法(cyclic voltammetry, CV)偵測磺胺時,由實驗結果發現SAA氧化電位在約 +0.25V且電流值不明顯,而在溶液中額外添加鄰苯二酚 (Catechol, CA)後使得SAA的氧化電位降低至+0.15V,電流上升兩至三倍。另外本研究發現利用浸泡方式,可讓SAA吸附在電極上,推測可能因SPCE*表面的含氧官能基團,而讓電極表面帶負電荷性質,並與溶液中帶正電荷CA-SAA相互吸引,因此能使SAA偵測靈敏度提高,進而降低SAA的偵測極限。根據實驗結果發現,改變不同溶液的pH值來觀察SAA和CA的吸附變化。從實驗結果發現在酸性下所得SAA氧化電流值最大,推測由於磺胺在酸性環境下帶正電荷,可明顯吸附至負電荷的電極表面,因此可讓SAA電流值明顯上升,此外在pH 5.0的溶液中偵測SAA穩定性較好。利用差式脈衝伏安法(Differential Pulse Voltammetry, DPV)進行磺胺的定量分析,此分析方法的最低極限檢測值為0.027 M (0.0046 ppm),能符合國家規定的偵測最低濃度。[[abstract]]In this study, an overox...
[[abstract]]本研究利用電聚合方式,在水溶液下製備聚(3,4-乙烯二氧吩)(poly-3,4-ehtylene-dioxythiophene ,PEDOT) 修飾網版印刷碳電極(SPCE/P...
液晶顯示器中含有大量離子,這些由液晶材料及製程中所產生的離子在外加電場下會造成反向電壓,形成屏蔽效應使得有效電壓降低。這樣的離子效應一直是影響液晶顯示器顯示品質的主要因素。鐵電型液晶材料在液晶材料學中...
本研究目的為合成純鈣鈦礦結構的鑭鍶鎵鎂氧化物(La1-xSrxGa1-yMgyO3-δ),以應用作為中溫固態氧化物燃料電池之電解質材料。嘗試以Pechini 一步法合成La1-xSrxGa1-yMgy...
[[abstract]]磺胺類藥物如磺胺二甲嘧啶(Sulfamethazine,SMZ)為廣泛應用於畜牧養殖中的制菌劑,研究指出此類制菌劑會對人體造成過敏、肺炎及使哮喘症狀增強等危害,因此國內衛福部對...
[[abstract]]本論文於網版印刷金電極上修飾一層自組裝單層薄膜,成功製備AuSPE-AET修飾電極,並以此修飾電極來電催化氧化抗壞血酸(AA)及多巴胺(DA)。 AA為人體中的必須維生素,也是...
[[abstract]]摘要 飲食當中含大量乾酪素(tyramine)的食物十分常見,如起司、優葛。而乾酪素的代謝主要由人體腸道中的單胺基酸氧化酶(monoamine oxidase,簡稱MAO)負...
对硝基苯硫酚是表面增强拉曼光谱研究中最常用的探针分子之一,对硝基苯硫酚在电极表面电化学还原反应的研究有助于对芳香族硝基化合物还原机理的认识. 本文应用暂态电化学-表面增强拉曼光谱技术,研究了对硝基苯硫...
本論文分為兩大部分,第一部份是合成新型高分子型分散劑POE-segmented imide (POEM),經由傅立葉轉換紅外線光譜儀(Fourier transform infrared spectr...
[Author abstract]If a glass capillary containing a mercury-salt solution interface, as shown in Fig....
[[abstract]]酚類抗氧化劑如第三丁基氫醌(tert-butylhydroquinone, TBHQ)與丁基羥基茴香醚(butylated hydroxyanisole, BHA)是被廣泛用於...
在本論文中,首先是對非等向性及等向性發光材料所組成的有機發光元件結構建構光學模型並模擬其發光特性。並製作了分別具有非等向性及等向性光學特性的發光元件,量測發光頻譜,並與理論計算的結果相比較,發現相當吻...
[[abstract]]植物內含量最多的為多酚類化合物,具有抗氧化、降低氧化壓力、抗發炎及抗腫瘤的能力。目前已有許多偵測抗氧化能力的方法,包含ABTS+, DPPH, TEAC, ORAC 等。這些方...
在過去的十年當中,由於矽相較於石墨而言,具有絕佳的比電容量(~3500 mAh/g),而受到重視。然而矽在充放電的過程當中,伴隨劇烈的體積膨脹收縮與本身所具有的低導電度特性,使得矽負極材料在商業化應用...
單一分子的導電值會受到電極–分子–電極接合點中電子傳遞方式的影響,其中一個重要的因素是電極費米能階(Fermi level)與分子前緣分子軌域能階(frontier molecular orbital...
計畫編號:NSC101-2112-M032-002 研究期間:201208~201307 研究經費:1,898,000[[abstract]]我們過去開發奈米晶鑽石的孕核成長製程技術,除了發展成功可以...
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