Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes

MOS innovante. Quatre technologies sont présentées et comparée: L’UMOSFET, l’OBUMOSFET, le SJVDMOSFET et le DTMOSFET. Une étude comparative, à l’aide de simulations 2D, des structures de même tenue en tension nous a permis d’écarter certaines technologies, incapable de concurrencer les performances statiques d’un IGBT 1200Volts. I. INTRODUCTION. L’objectif de ces travaux est de proposer des solutions alternatives à l’utilisation de l’IGBT dans les convertisseurs employés pour la traction ferroviaire. Dans la gamme de tension visée (1200 V), les structures MOS conventionnelle