Le Rôle Du Mécanisme de Recombinaison sur Les Performances Photovoltaïques des

Résumé – Dans le domaine de la conversion photovoltaïque, bien que différentes filières et technologies se partagent le marché, on constate que c’est toujours le silicium cristallin qui en occupe la plus grosse place. Ainsi, compte tenu des recherches et des connaissances acquises sur le silicium massif de qualité électronique, c’est ce matériau qui est encore à l’heure actuelle commercialisé. Néanmoins, dans un souci de réduction de coût, d’autres filières, telle que celle des photopiles en couches minces, enregistrent des progrès rapides grâce à certaines de leurs propriétés intrinsèques. Cette filière présente donc des atouts sérieux et des perspectives de réduction des coûts. Parmi les matériaux en couches minces utilisés à l’heure actuelle dans les photopiles, citons le silicium amorphe, le silicium microcristallin, et les matériaux polycristallins tels que le CdTe et le Cu(In,Ga)Se2. Dans notre étude, on se limitera à l’étude des matériaux chalcopyrites tels que le Cu(In,Ga)Se2. Dans ce papier, l’étude des différents obstacles qui affectent les performances de ces structures et en particulier la tension en circuit ouvert sont présentés, comme le phénomène de recombinaison au volume du matériau et à l’interface ainsi que les défauts existants dans le matériau. Pour ce, une simulation du modèle proposé est nécessaire. Cette dernière nous permet d’établir des mesures de la spectroscopie d’admittance et de la caractéristique C-V afin de pouvoir examiner les limites d’amélioration de la tension en circuit ouver