REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUÉE Dislocations and plasticity in semiconductors. I 2014 Dislocation structures and dynamics

Résumé. 2014 Les structures de c0153ur des dislocations dans les semi-conducteurs élémentaires (ESC) et les composés semi-conducteurs (CSC) III-V sont discutées en relation avec les analogies qu’elles présentent avec celles des métaux cfc. On met l’accent sur les propriétés spécifiques des dislocations dans les SC aux températures plus basses que 0,6 Tf où le glissement des dislocations est régi par un mécanisme de Peierls qui témoigne de la liaison covalente entre atomes. On fait une revue de la dynamique des dislocations en rapport avec des effets métallurgiques classiques ou des effets spécifiques aux SC associés aux niveaux électroniques introduits par les dislocations dans la bande interdite. Les analogies et les différences entre les structures et les propriétés des dislocations dans les ESC et CSC sont aussi discutées. Abstract. 2014 Dislocation core structures in elemental semiconductors (ESC) and III-V compound semiconduc-tors (CSC) with zinc blende structure are discussed in relation to their analogy with fcc metals. Emphasis is also put on the specific features of dislocations in SC at temperatures lower than 0,6 Tm when dislocation glide is controlled by the Peierls mechanism reflecting the strong covalent bonding of the atoms. Dislocation dynamics relevant to classical metallurgical effects or to specific effects associated with electronic levels introduced by dislocations in the band gap are reviewed. Analogies and differences between dislocation structures and properties in ESC and CSC are also discussed