A complete dry etching process for MOS FET’s with submicron gate length

Résumé. 2014 Un procédé de gravure sèche a été mis au point pour la fabrication de transistors MOS submicro-niques en technologie canal N grille silicium. La gravure ionique réactive a été utilisée pour graver le Si3N4, le silicium polycristallin et le SiO2 déposé dopé au phosphore (PSG). L’aluminium a été gravé par plasma. Le pro-cédé foumit une gravure en pente des trous de contact dans le PSG et une surface aplanie du PSG, ceci pour amé-liorer la couverture aux marches de la métallisation et pour faciliter la gravure de l’aluminium. Des transistors MOS ayant des longueurs de grilles de 0,6 03BCm ont été fabriqués avec succès selon ce procédé. Abstract. 2014 An anisotropic dry etching process for submicrometer silicon gate N channel MOS technology has been developed. Reactive ion etching was used for Si3N4, polysilicon and phosphosilicate glass (PSG). Aluminum was plasma etched. The process includes tapered etching of contact holes in PSG and planarization of PSG to improve step coverage of metallization and to facilitate aluminum etching. MOS devices with gate length as small as 0.6 03BCm have been successfully fabricated with this process